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Escolhemos um elemento DD de Raschityvay F mais ligado de K9, K10, K11 e posições K12 como o mais conveniente da instalação como F de outras posições será obviamente mais, e o seu cálculo não faz sentido.

Tendo analisado os resultados recebidos é possível ver que a configuração dos elementos X1-X9 necessita 3 batata frita de KR1531LA3 e só um elemento vão se implicar no último deles. No nosso caso será mais racional para reduzir o poder de bloco para três. Neste caso a quantidade da batata frita necessária não se modificará, e os elementos vão se distribuir como se segue: X (1+4 +, X (2+5 +, X (3+6 +. Vamos aceitar finalmente para projetar tal opção da configuração.

No nosso caso como todos os elementos são iguais, a matriz de coeficientes de peso na fórmula 2 será, por isso, única não especificaremos este parâmetro. Em primeiro lugar instalaremos a tomada em uma posição K14 desde que a sua situação se define rigidamente por restrições de desenho.

Desenvolvendo um desenho de circuitos impressos o desenhista deve resolver o gráfico (a redução ao mínimo da quantidade de camadas,, rádio-engenharia (o cálculo de aimings parasítico), heattechnical (a condição de temperatura do trabalho de um pagamento e um elemento, construtivo (colocações), tecnológicas (uma escolha de método de produção) tarefas.

Como o começo tomamos um ponto 1 e 'eliminamos' um grau de coluna Local do topo aceita-se igual a comunicação mais curta em uma matriz de distâncias nele com. Executamos a comunicação. Consideramos duas linhas – o 1o e 2o. A comunicação mais curta entre 1 e 8 entre o qual a seguinte comunicação se executa. A coluna 'elimina-se' consideramos três linhas Agora – o 1o, 2o, e o 8o. A distância mais pequena está disponível entre 8 e 3, 8 e executa-se estas comunicações 'eliminando'. colunas., Etc.

A escolha de uma série da batata frita integrada da realização do bloco da memória de acesso casual em primeiro lugar dita-se pela velocidade da operação de tal bloco. Neste sentido a batata frita de série de TTLSh (lógica de transistor do transistor com a estrutura de Schottky) é a mais preferível.